[拼音]：bandaoti cailiao

[外文]：semiconductor material

室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间、电阻率约为10^-5～10⁷欧米的固体材料。半导体材料的电阻率随温度升高而下降，这一点与导电材料不同而与绝缘材料相似。半导体材料与绝缘材料的区别在于它的能带结构中禁带较窄，在2～3电子伏以下。典型的半导体材料是以共价键结合为主的。元素晶体硅和锗、Ⅲ-Ⅴ族化合物及Ⅱ-Ⅵ族化合物构成了大部分主要的半导体材料。

半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感，例如，向硅中掺入亿分之一的硼，就能使其电阻率减少为原来的万分之一。纯度很高的半导体材料(常称本征半导体)常温下电阻率很高，是电的不良导体。但在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体可分为以电子为主要导电载流子的N型半导体和以空穴为主要导电载流子的 P型半导体。不同类型半导体间的接触（称为PN结）以及半导体和金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性可以制成具有多种功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感，据此，可以制造各种敏感元件，用于信息转换。半导体材料因它所具有的一系列独特性质，成为重要的电工材料。

电工领域所用半导体材料可以分为以下 3大类。

（1）元素半导体：仅由单一元素组成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，其中以硅和储应用最广。

（2）化合物半导体:包括氧化物(主要有氧化亚铜、二氧化钛等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物(主要有硫化镉、硫化锌、硒化镉、碲化镉等)、Ⅲ-Ⅴ族化合物(主要有砷化镓、磷化铟、磷化镓、锑化铟、砷化铟等)、Ⅳ-Ⅳ族化合物(主要有碳化硅)、Ⅵ-Ⅵ族化合物（主要有硫化铅、硒化铅、碲化铅等）、有机半导体（主要有萘、蒽、聚丙烯腈等）。

（3）陶瓷半导体：20世纪70年代开发出来的一类新型半导体材料。它由一种化合物为主要成分，添加一种以上其他化合物，经陶瓷工艺高温烧结而成（主要有氧化锌系、氧化钛系、氧化锡系及碳化硅系等）。